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8 月 20 日，道益靜電控制（上海）有限公司領導組織區域銷售經理一行 9 人至我司昆山工廠進行一天學習參觀...

7 月 10 日，公司陳總一行 3 人及上海道益靜電王總一并赴江蘇徐州天科合達半導體有限公司進行業務拜訪。向天科合達業務及研發負責人詳細介紹了本公司的晶圓選別機和即將出臺的...

2 月 25 日，總經理陳文頂攜公司二位高級工程師奔赴深圳、東莞兩地，開啟了為期 4 天的產品巡演交流活動，分別與行業內從事晶圓設計，制造，封測，貿易的多個企業負責人交流了...

據市場研究機構預測，第三代半導體市場規模正在快速增長，預計未來幾年的年復合增長率將超過 30%。這主要是受到新能源汽車、5G 通信、消費電子等領域的強勁需求推動。 在碳化硅晶圓制造技術上，大尺寸晶圓的研發和量產正在加速推進。從 6 英寸晶圓向 8 英寸晶圓的過渡取得了階段性成果，更大尺寸的晶圓意味著在單片晶圓上可以制造更多的芯片，有助于降低芯片的成本。

碳化硅（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鉆髓，為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。將碳化硅粉末燒結可得到堅硬的陶瓷狀碳化硅顆粒，并可將之用于諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件制造中也有使用。如今碳化硅被廣泛用于制造高溫、高壓半導體。使用Lely法能生長出大塊的碳化硅單晶。人造莫桑石的寶石就是切割由Lely法制備的大塊碳化硅單晶獲得的。

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。